用于集成电路造作中，，，，，，，金属铜后洗濯的碱性配方型洗濯液，，，，，，，能有效去除表表颗粒、有机物及金属传染物，，，，，，，并兼具铜；；；；；ぶ澳，，，，，，，已在存储器件与逻辑器件量产中使用。。。。。

产品洗濯成效优异，，，，，，，安全机能高，，，，，，，Q-time较高，，，，，，，对铜的侵蚀速度低

用于集成电路造作中，，，，，，，金属铜及金属钨CMP后洗濯的酸性配方型洗濯液，，，，，，，利用覆盖多个工艺节点，，，，，，，能有效去除表表颗粒、有机物及金属传染物。。。。。

产品洗濯成效优异，，，，，，，安全机能高，，，，，，，对铜的侵蚀速度低

用于集成电路造作中，，，，，，，金属钨和氮化硅CMP后洗濯的配方型洗濯液，，，，，，，在涉及多沉资料界面的CMP后洗濯工艺中拥有优良的清洁阐发。。。。。产品已在逻辑器件量产中使用。。。。。

产品对W、SiN、TEOS、TiN和Co等多种资料拥有优良的兼容性及洗濯成效

用于集成电路造作中，，，，，，，金属钨断根沾污的酸性配方型洗濯液，，，，，，，旨在针对抛光垫表表清洁，，，，，，，用于降低金属栅极工艺的沾污水平。。。。。

产品对W、SiN、Co、Al、Ti、TiN拥有极低的侵蚀速度及优良的洗濯成效

用于集成电路造作中，，，，，，，金属钨CMP后洗濯的弱酸型洗濯液，，，，，，，重要用于金属栅极洗濯，，，，，，，已在逻辑器件量产中使用。。。。。

产品在W和TEOS表表占有很好的洗濯机能，，，，，，，同时对W、SiN、TEOS、TiN以及Co占有优良的资料兼容性。。。。。

用于集成电路造作中，，，，，，，金属铝CMP后洗濯的酸性洗濯液，，，，，，，拥有优良的清洁阐发及极低的缺点率，，，，，，，已在逻辑器件量产中使用。。。。。

产品洗濯成效优异，，，，，，，与Al、TEOS等多种资料兼容性佳，，，，，，，对铝的侵蚀速度较低。。。。。

用于集成电路造作中，，，，，，，多晶硅和氮化硅 CMP后洗濯的配方型洗濯液，，，，，，，利用于抛光垫表表，，，，，，，能有效去除表表颗粒传染物，，，，，，，已在逻辑器件量产中使用。。。。。

产品兼容Poly-Si、SiN和TEOS，，，，，，，能够合用于STI、ILD、ILD0以及Poly等造程的辅助洗濯