有关产品
集成电路资料
CMP造程资料
半导体先进封装
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封装光刻胶
ghi线曝光;;;;;;;;<br> 分辨率5μm~10μm;;;;;;;;<br> 覆盖高/低温固化PSPI;;;;;;;;<br> 膜厚5μm~15μm;;;;;;;;<br> 固化温度200℃~400℃;;;;;;;;<br> 具备优异的电学、力学机能和Cu附着力
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一时键合胶
常温、低压力键合;;;;;;;;<br> 极强的耐高温能力;;;;;;;;<br> 300℃持久耐温>1.5h;;;;;;;;<br> 可机械、激光解键合(248nm/308nm/355nm)
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晶圆级绝缘钝化层资料
晶圆级钝化层PI/PSPI,,,,,,,,是在晶圆级封装(WLP)工艺中利用的关键资料。。。。。。。通过旋涂、曝鲜明影形成图形化保;;;;;;;げ恪。。。。。。经高温固化后,,,,,,,,为芯片表表提供优异的钝化保;;;;;;;ず陀α撼澹,,,,,,有效提高器件靠得住性。。。。。。。
半导体显示资料
OLED
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YPI
粘度4000cP~7000cP;;;;;;;;<br> 固含量10%~20%;;;;;;;;<br> 膜厚5μm~15μm固化温度450℃~480℃;;;;;;;;<br> 1%失沉温度>560℃;;;;;;;;<br> 具备优异的力学光学机能
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PSPI
ghi线曝光;;;;;;;;<br> 分辨率2μm~3μm;;;;;;;;<br> 覆盖高/低感光度PSPI;;;;;;;;<br> 膜厚1μm~5μm;;;;;;;;<br> 固化温度250℃~280℃;;;;;;;;<br> 具备优异的光学、力学机能
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TFE INK
粘度20cP~22cP;;;;;;;;<br> 水分<50ppm;;;;;;;;<br> 395nmUV固化;;;;;;;;<br> 膜厚6μm~15μm;;;;;;;;<br> 具备优异的光学机能
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BPDL
分辨率5μm;;;;;;;;<br> 粒径50~70nm;;;;;;;;<br> 固化温度250℃~280℃;;;;;;;;<br> 膜厚1μm~5μm;;;;;;;;<br> OD(光密度)>1/μm
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无氟PSPI
ghi线曝光;;;;;;;;<br> 分辨率2μm~3μm;;;;;;;;<br> 覆盖高/低感光度PFAS free PSPI;;;;;;;;<br> 膜厚1μm~5μm;;;;;;;;<br> 固化温度250℃~280℃;;;;;;;;<br> 具备优异的光学、力学机能
LCD
MICRO-LED
锂电高端职能性辅材
职能助剂
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润湿分散剂HFW-118
1、造浆效能提升10-20%;;;;;;;;<br> 2、涂布表观显著改善。。。。。。。
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碳源分散剂HFF-1176
1、浆料固含提升5-6%;;;;;;;;研磨效能提升20%;;;;;;;;<br> 2、碳含量一样下,,,,,,,,粉阻幼于10.
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分散剂HFF-2808
1、提高浆料固含量:3-6个点;;;;;;;;<br> 2、降低辊压:降低20%;;;;;;;;<br> 3、改善柔性:1次以上;;;;;;;;<br> 4、提升压实:0.03-0.05
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分散剂HFF-29XX系列
1、适配性强:可适配分歧工艺路线LFP和分歧类型PVDF;;;;;;;;<br> 2、降粘提固稳粘:LFP浆料固含提高至65%以上,,,,,,,,浆料粘度维持不变反弹幼。。。。。。;;;;;;;<br> 3、极片压实提升0.03-0.1%;;;;;;;;柔性提升20-30%。。。。。。。
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防开裂助剂HFW-110
1、适配80m/min以上快涂工艺;;;;;;;;<br> 2、抗开裂成效提升20-30%,,,,,,,,极片良率提升。。。。。。。
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