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抛光液

多晶硅抛光液

用于集成电路造作工艺中多晶硅的去除和平展化，，，，，，，拥有高多晶硅去除速度，，，，，，，高稀释比、低缺点率的特点。。。。。。。。产品已经在存储器件量产中使用。。。。。。。。

氮化硅抛光液

用于集成电路造作工艺中STI buff/ILD/SAC等造程氮化硅的去除和平展化，，，，，，，拥有碟形效应建复能力强，，，，，，，栅极高度精准节造的利益，，，，，，，在28nm/14nm等逻辑器件造作中宽泛利用。。。。。。。。

介电资料抛光液

用于集成电路造作工艺中介电层资料（氧化硅）的去除和平展化，，，，，，，拥有高去除速度，，，，，，，高稀释比、低缺点率的特点。。。。。。。。产品已经在存储器件出产中量产使用。。。。。。。。

硅衬底抛光液

在集成电路造作中，，，，，，，用于硅片表表化学机械抛光(CMP)，，，，，，，有去除速度高，，，，，，，表表缺点率低的特点。。。。。。。。

钨栅极抛光液

搭载自产氧化铝研磨粒子，，，，，，，用于逻辑器件造作工艺中金属钨栅极资料的去除和平展化，，，，，，，拥有高平展化效能，，，，，，，高选择比，，，，，，，低缺点率的特点。。。。。。。。产品已经在先进造程逻辑器件出产中量产使用。。。。。。。。

钨抛光液

用于集成电路造作工艺中金属钨资料的去除和平展化，，，，，，，选择比可控，，，，，，，满足选择比定造需要，，，，，，，低缺点率，，，，，，，高阶或先进工艺使用。。。。。。。。已经在逻辑器件出产中量产使用。。。。。。。。

铜反对层抛光液

用于集成电路造作铜互连工艺中反对层的去除和平展化，，，，，，，选择性抛光铜与反对层，，，，，，，高平坦度、低缺点，，，，，，，低侵蚀或碟形凹陷。。。。。。。。

铜抛光液

用于集成电路造作工艺中金属铜的去除和平展化，，，，，，，拥有高去除速度，，，，，，，高稀释比，，，，，，，低缺点等特点。。。。。。。。

铝栅极抛光液

搭载自产氧化铝研磨粒子，，，，，，，用于集成电路造作工艺中金属铝栅极资料的去除和平展化建复，，，，，，，拥有高平展化效能，，，，，，，高选择比，，，，，，，低缺点率的特点。。。。。。。。产品已经在逻辑器件造作中使用。。。。。。。。

氧化铈抛光液

搭载自产氧化铈研磨粒子，，，，，，，用于集成电路造作工艺中介电层资料（氧化硅）的去除和平展化，，，，，，，STI结构的构建中。。。。。。。。拥有高氧化硅去除速度，，，，，，，高平展化效能、低碟形效应、低缺点率的特点。。。。。。。。

铝磨料

HKMG slurry使用研磨粒子，，，，，，，利用于Al和W高精度抛光。。。。。。。。拥有硬度高，，，，，，，研磨速度快，，，，，，，CMP后缺点少的特点。。。。。。。。

铈磨料

STI＆ILD slurry使用研磨粒子，，，，，，，占有丰硕的活性位点，，，，，，，能够实现氧化硅的急剧去除。。。。。。。。拥有研磨速度快，，，，，，，平展化效能高的特点。。。。。。。。

超纯硅磨料

先进工艺CMP slurry中的主题原料。。。。。。。。宽泛用于前段工艺及先进造程的金属互连工艺。。。。。。。。拥有硬度低，，，，，，，缺点少的特点。。。。。。。。

高纯硅磨料

用于集成电路造作工艺中各造程中slurry设计，，，，，，，提供机械研磨力以及化学组分吸附位点，，，，，，，可用作急剧去除与选择比节造高的场景。。。。。。。。